[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610091497.1 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN106531786B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 小仓常雄;末代知子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/485 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体区域，设置在第1电极与第2电极之间；第2导电型的第2半导体区域，设置在第1半导体区域与第2电极之间；多个第1连接区域，电连接于第2电极，在从第2电极朝向第1电极的第1方向上，从第2电极到达至第1半导体区域，且在与第1方向交叉的第2方向上并排；第1绝缘膜，设置在多个第1连接区域中的任一个连接区域与第2半导体区域及所述第1半导体区域之间；以及第2连接区域，设置在第2方向上相邻的第1连接区域之间，电连接于第2电极，且在第1方向上，从第2电极到达至第1半导体区域，或到达至第2半导体区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：/n第1电极；/n第2电极；/n第1导电型的第1半导体区域，设置在所述第1电极与所述第2电极之间；/n第2导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域与所述第2电极之间，具有第1区域、以及位于所述第1区域与所述第2电极之间的第2区域；/n多个第1连接区域，电连接于所述第2电极，在从所述第2电极朝向所述第1电极的第1方向上，从所述第2电极到达至所述第1半导体区域，且在与所述第1方向交叉的第2方向上并排；/n第1绝缘膜，设置在所述多个第1连接区域的任一个与所述第2半导体区域及所述第1半导体区域之间；以及/n第2连接区域，设置在所述第2方向上相邻的所述第1连接区域之间，电连接于所述第2电极，在所述第1方向上在所述第2半导体区域的所述第2区域中延伸并贯通、且到达至所述第2半导体区域的所述第1区域中。/n
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