[发明专利]一种垂直结构发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610091308.0 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105590995B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吴政;黄邑;李佳恩;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直结构发光二极管及其制作方法，通过蚀刻工艺和衬底剥离工艺制作出微米级或纳米级的两端面为六角锥形的微型棒状垂直结构发光二极管，以满足生物医学、光电等涉及到微型发光二极管需求的领域对微型发光二极管的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构发光二极管的制作方法，包括步骤：1）提供第一基板，在第一基板上生长发光外延层，发光外延层依次包含第一外延层、发光层、第二外延层；2）在所述第二外延层表面制作复数个第二六角锥形图案；3）在所述第二外延层表面沉积键合层，覆盖所述第二六角锥形图案；4）将所述第二外延层键合到第二基板上；5）剥离所述第一基板，裸露出所述第一外延层；6）通过光刻对准技术，在与第二外延层中的第二六角锥形图案相对应位置，采用蚀刻工艺，制作出所述第一外延层表面上的第一六角锥形图案，所述蚀刻工艺继续将第一六角锥形之间的间隙蚀刻穿透到第二六角锥形之间的间隙，直接到达键合层；7）去除键合层和第二基板。
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