[发明专利]用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法有效
| 申请号： | 201610090364.2 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105737773B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | M.温普林格 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | G01B17/02 | 分类号： | G01B17/02;G01N29/04;G01N29/265;G01N29/27;G01N29/275;H01L21/66;H01L21/67;G01B11/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吴晟;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明题为“用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法”。本发明涉及用于在分布于晶片堆叠上的多个测量位置处测量和/或检测晶片堆叠的一个或多个层的层厚度和/或晶格缺陷的测量装置以及方法，以及相对应的晶片处理设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 晶片 堆叠 厚度 晶格 缺陷 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在多个测量位置上测量和/或检测临时结合的晶片堆叠的一个或多个层的层厚度和晶格缺陷的方法，具有下列序列：‑布置测量装置，用于在相对于所述晶片堆叠的平坦侧的测量位置上测量和/或检测所述晶片堆叠的层的层厚度和晶格缺陷，‑通过所述测量装置的发送器来发送电磁波形式的信号，并通过所述测量装置的接收器来接收由所述晶片堆叠所反射的信号，‑通过分析单元来分析由所述接收器所接收的信号，其中由所述分析单元来区分由所述晶片堆叠的层之间的至少两个过渡所反射的信号，并确定其到彼此和/或到参考平面（R）的距离，并且其中能够检测所述晶片堆叠和/或所述测量装置平行于所述参考平面（R）的移动，并从而能够检测沿所述参考平面（R）的每个测量位置的位置。
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