[发明专利]封装件或器件结构上的SMD/IPD及其形成方法有效
| 申请号： | 201610084454.0 | 申请日： | 2016-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106409797B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 谢正贤;陈宪伟;吴集锡;余振华;叶德强;吴伟诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例描述了封装结构及其形成方法。在一个实施例中，封装结构包括嵌入在密封件中的集成电路管芯和在密封件上的再分布结构。再分布结构包括在密封件和集成电路管芯远端的金属化层，以及在密封件和集成电路管芯远端以及在金属化层上的介电层。封装结构还包括在介电层上的第一底部金属化结构以及附接至第一底部金属化结构的表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)。第一底部金属化结构包括第一至第四延伸部分，第一至第四延伸部分分别穿过介电层的第一至第四开口延伸至金属化层的第一至第四图案。第一开口、第二开口、第三开口和第四开口彼此物理隔开。本发明实施例涉及封装件或器件结构上的SMD/IPD及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 器件 结构 smd ipd 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，包括：集成电路管芯，嵌入在密封件中；再分布结构，位于所述密封件上并且电连接至所述集成电路管芯，所述再分布结构包括：金属化层，位于所述密封件和所述集成电路管芯远端，和介电层，位于所述密封件和所述集成电路管芯远端并且在所述金属化层上；第一底部金属化结构，位于所述介电层上，所述第一底部金属化结构包括：第一延伸部分，延伸穿过所述介电层的第一开口至所述金属化层的第一图案，第二延伸部分，延伸穿过所述介电层的第二开口至所述金属化层的第二图案，第三延伸部分，延伸穿过所述介电层的第三开口至所述金属化层的第三图案，以及第四延伸部分，延伸穿过所述介电层的第四开口至所述金属化层的第四图案，所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口彼此物理地间隔开；以及表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)，附接至所述第一底部金属化结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610084454.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：顶部金属堆叠封装结构及其制造方法
- 下一篇：半导体装置
