[发明专利]半导体器件制造方法及半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件制造方法及半导体器件。为了提高半导体器件的性能，将p型杂质离子注入到在p型半导体衬底上方外延生长的n型半导体膜的一个区域中，并且不将p型杂质离子注入到n型半导体膜的相邻于其中离子注入p型杂质的区域的区域中。这样，形成了由其中引入p型杂质的区域构成的p‑型漂移层，以及由其中未引入p型杂质的区域构成的n‑型半导体区。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：(a)制备p型半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上方外延生长n型半导体膜；(c)将p型第一杂质的离子注入到所述半导体膜的第一区域中，并且不将所述第一杂质的离子注入到所述半导体膜的第二区域中，以形成由被引入所述第一杂质的所述第一区域构成的p型第一半导体区以及由未被引入所述第一杂质的所述第二区域构成的n型第二半导体区，所述第二区域与所述第一区域相邻；(d)形成从所述半导体膜的上表面到达所述第一半导体区的中间的第一凹槽；(e)在所述第一凹槽的内壁中形成栅绝缘膜；(f)在所述栅绝缘膜上方形成栅电极以便填充所述第一凹槽；(g)在所述第一半导体区的上部部分以及所述第二半导体区的上部部分中形成n型第三半导体区；(h)在所述第三半导体区的上部部分中形成p型第四半导体区；(i)形成接触所述第三半导体区和所述第四半导体区的源电极；和(j)形成电耦合到所述半导体衬底的漏电极，其中，由所述第一半导体区、所述第三半导体区、所述第四半导体区、所述栅绝缘膜和所述栅电极形成晶体管。