[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610081274.7 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105870185B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 裵相右;全倧旭;秋升晋;司空炫哲;崔在熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，所述第一上部图案包括第一部分和分别设置在所述第一部分的侧部上的第二部分；栅电极，形成在所述第一部分上以交叉所述第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在所述第二部分上，其中所述第一上部图案的掺杂剂浓度大于所述第一下部图案的掺杂剂浓度和所述基板的掺杂剂浓度，所述第一下部图案的掺杂剂浓度不同于所述基板的掺杂剂浓度。
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