[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开可以提供一种具有三维存储器件的半导体器件，该三维存储器件具有改进的性能和可靠性。该器件可以包括管栅，管栅具有嵌入在所述管栅中的管沟道膜。该器件可以包括源极侧沟道膜和漏极侧沟道膜，源极侧沟道膜和漏极侧沟道膜分别耦接至管沟道膜的两端。该器件可以包括层间绝缘膜和导电图案，层间绝缘膜和导电图案交替层叠且设置在管栅之上，交替层叠的层间绝缘膜和导电图案围绕源极侧沟道膜和漏极侧沟道膜。该器件可以包括狭缝，狭缝设置在漏极侧沟道膜和源极侧沟道膜之间并且将交替层叠的层间绝缘膜和导电图案划分为源极侧层叠和漏极侧层叠，狭缝在邻近于管栅的狭缝底部处具有圆形形状。

主权项

一种半导体器件，包括：管栅，具有嵌入在所述管栅中的管沟道膜；源极侧沟道膜和漏极侧沟道膜，分别耦接至管沟道膜的两端；层间绝缘膜和导电图案，交替层叠且设置在管栅之上，交替层叠的层间绝缘膜和导电图案围绕源极侧沟道膜和漏极侧沟道膜；以及狭缝，设置在漏极侧沟道膜与源极侧沟道膜之间并且将交替层叠的层间绝缘膜和导电图案划分为源极侧层叠和漏极侧层叠，狭缝在邻近于管栅的狭缝底部处具有圆形形状。