[发明专利]一种晶体硅光伏电站PID效应抑制装置与方法在审

专利信息
申请号: 201610076821.2 申请日: 2016-02-04
公开(公告)号: CN105577108A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 陶倩华 申请(专利权)人: 苏州高创特新能源发展股份有限公司
主分类号: H02S40/30 分类号: H02S40/30
代理公司: 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 代理人: 徐萍
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种晶体硅光伏电站PID效应抑制装置,包括:光伏组串、逆变器、能发出故障信号的漏电流传感器、能发出故障信号的接地熔丝和信号控制器,所述光伏组串的负极通过漏电流传感器、接地熔丝接地,光伏组串的正极与逆变器之间电性连接,所述信号控制器与逆变器之间相互连接。通过上述方式,本发明提供的晶体硅光伏电站PID效应抑制装置,通过本发明设备进行负极接地就能实现PID抑制效果,无需更改组件技术,大大节省了组件技术改成费用,可对已经建成的晶体硅光伏电站进行加装本发明设备,而无需替换出现PID现象的组件,降低了电站投入和维护费用,且设备结构简单,费用低廉。
搜索关键词: 一种 晶体 硅光伏 电站 pid 效应 抑制 装置 方法
【主权项】:
一种晶体硅光伏电站PID效应抑制装置,其特征在于,包括:光伏组串、逆变器、能发出故障信号的漏电流传感器、能发出故障信号的接地熔丝和信号控制器,所述光伏组串的负极通过漏电流传感器、接地熔丝接地,光伏组串的正极与逆变器之间电性连接,所述信号控制器与逆变器之间相互连接,所述漏电流传感器、接地熔丝发出的故障信号通过信号控制器发送至逆变器。
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