[发明专利]集成齐纳二极管的场效应晶体管

摘要

本发明涉及一种集成齐纳二极管的场效应晶体管。在相同的P‑型半导体衬底中通过多个掺杂区整体制成一个或多个齐纳二极管和一个场效应晶体管，被穿通阻挡区隔开，具有与一个或多个齐纳二极管串联的漏极。N‑型区形成在一个或多个齐纳二极管下方。

主权项

1.一种器件，其特征在于，包括：一个或多个齐纳二极管；以及一个场效应晶体管，具有一个漏极，该漏极与所述的一个或多个齐纳二极管串联；其中所述的一个或多个齐纳二极管和场效应晶体管，是在相同的P‑型半导体衬底中通过多个掺杂区制成的，并且被一个穿通阻挡区隔开；以及一个第一N‑型区，形成在所述的一个或多个齐纳二极管下方；其中多个掺杂区包括多个中心区域，一个或多个齐纳二极管的阴极位于多个中心区域的中心处。