[发明专利]一种基于真空蒸发镀膜法的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201610066505.7 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105789444B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 石磊;徐志立 | 申请（专利权）人： | 杭州众能光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;牛艳玲 |
| 地址： | 浙江省杭州市杭州经济技术开发区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于真空蒸发镀膜法的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述电池包括自下而上依次设置的透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿光捕获层、电子传输层和金属电极，所述电子传输层是由n型无机化合物材料形成的薄膜，所述n型无机化合物材料是能够经真空蒸发镀膜法成膜的。本发明的方法采用能够由真空蒸发镀膜法成膜的n型无机化合物材料作为电子传输层，该材料具有可热蒸镀、原料易得、成本低廉、较好的电子传输能力和优异的化学稳定性等特点，存在很大的商业开发潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 真空 蒸发 镀膜 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电池包括自下而上依次设置的透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿光捕获层、电子传输层和金属电极，所述电子传输层是由n型无机化合物材料形成的薄膜，所述n型无机化合物材料是能够经真空蒸发镀膜法成膜的；所述n型无机化合物材料选自掺杂或未掺杂的CdS、CdSe、Sb2S3、Bi2S3、In2S3、SnS2、MoS2和ZnSe中的一种或多种，所述掺杂元素为Zn、Mn、Cr和Ce中的一种或多种；所述钙钛矿光捕获层为MPbX3钙钛矿材料，其中M＝Cs+，CH3NH3+，CH(NH2)2+或它们的混合物；X＝Cl‑、Br‑、I‑或其混合物；所述钙钛矿光捕获层的厚度为150～850nm。
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