[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：堆叠件，其包括以交替和重复方式堆叠在衬底上的栅电极和绝缘层。单元沟道结构穿过堆叠件。单元沟道结构包括接触衬底的第一半导体图案和在第一半导体图案上的第一沟道图案。第一半导体图案延伸至从衬底的表面至第一半导体图案的顶表面的第一高度。伪沟道结构位于衬底上并且与堆叠件间隔开。伪沟道结构包括接触衬底的第二半导体图案和在第二半导体图案上的第二沟道图案。第二半导体图案延伸至从衬底的表面至第二半导体图案的顶表面的第二高度。第一高度大于第二高度。

主权项

1.一种半导体存储器装置，包括：衬底；堆叠件，其在所述衬底上，所述堆叠件包括以交替和重复方式堆叠在所述衬底上的栅电极和绝缘层；单元沟道结构，其穿过所述堆叠件，所述单元沟道结构包括接触所述衬底的第一半导体图案和所述第一半导体图案上的第一沟道图案，所述第一沟道图案与所述第一半导体图案接触，所述第一半导体图案延伸至从所述衬底的表面至所述第一半导体图案的顶表面的第一高度；以及第一伪沟道结构，其在所述衬底上，所述第一伪沟道结构与所述堆叠件间隔开，所述第一伪沟道结构包括接触所述衬底的第二半导体图案和所述第二半导体图案上的第二沟道图案，所述第二沟道图案接触所述第二半导体图案，所述第二半导体图案延伸至从所述衬底的表面至所述第二半导体图案的顶表面的第二高度，并且所述第一高度大于所述第二高度。