[发明专利]用于半导体二极管的纳米颗粒梯度折射率密封剂在审
| 申请号： | 201610064489.8 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105845815A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | M·K·玛尼昂;B·W·米拉;G·C·派比奥 | 申请（专利权）人： | 英派尔科技开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请关于用于半导体二极管的纳米颗粒梯度折射率密封剂，其中公开了梯度折射率发光二极管。发光二极管包括至少部分封装在聚合物中的晶粒，和沿着与从晶粒的距离相关的浓度梯度分散在聚合物中的纳米颗粒。纳米颗粒的折射率与聚合物的折射率不同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 二极管 纳米 颗粒 梯度 折射率 密封剂 | ||
【主权项】：
一种梯度折射率(GRIN)发光二极管(LED)，其包括：至少部分封装在聚合物中的晶粒；和分散在聚合物中的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒具有纳米颗粒浓度，所述浓度具有与从晶粒的距离相关的浓度梯度，和所述纳米颗粒具有纳米颗粒折射率，所述聚合物具有聚合物折射率，和所述纳米颗粒折射率与所述聚合物折射率不同。
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