[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201610064455.9 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106531790A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吉冈启;洪洪;矶部康裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施方式，半导体装置具备第一氮化物半导体层与第二氮化物半导体层交替积层而成的第一积层型氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、漏极电极、源极电极、及栅极电极。第一氮化物半导体层包含含有碳的氮化镓。第二氮化物半导体层包含氮化铝铟。第三氮化物半导体层设置在第一积层型氮化物半导体层之上，且包含氮化镓。第四氮化物半导体层设置在第三氮化物半导体层之上，且包含氮化铝镓。漏极电极与源极电极设置在第四氮化物半导体层之上。栅极电极隔在漏极电极与源极电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：第一积层型氮化物半导体层，包含含有碳的氮化镓的第一氮化物半导体层、与包含氮化铝铟的第二氮化物半导体层交替积层而成；第三氮化物半导体层，设置在所述第一积层型氮化物半导体层之上，包含氮化镓；第四氮化物半导体层，设置在所述第三氮化物半导体层之上，且包含氮化铝镓；漏极电极及源极电极，设置在所述第四氮化物半导体层之上；以及栅极电极，隔在所述漏极电极与所述源极电极之间。
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