[发明专利]纳米级氧化铟锡粉体的共沉淀制备方法有效
| 申请号： | 201610064201.7 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105731527B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘家祥;张雪利;李敏;雷文 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;C01G15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 霍京华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种共沉淀法制备纳米级氧化铟锡粉体(ITO)的方法。采用本发明的方法制得的ITO粉体适用于制备高品质的ITO靶材。本发明的共沉淀制备方法，采用缓冲溶液作为前躯体的生长环境，在反应过程中，溶液pH值基本不变，前躯体生长环境稳定，粉体分散效果更好，制得的粉体呈单相，颗粒度均匀，电阻率低。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 氧化 铟锡粉体 共沉淀 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级氧化铟锡粉体的共沉淀制备方法：在缓冲溶液中加入分散剂，将铟、锡混合盐溶液和沉淀剂同时加入缓冲溶液中，进行共沉淀反应，沉淀经分离、洗涤、干燥、煅烧，制得纳米级氧化铟锡粉体；具体步骤和条件为：(1)按照In2O3/SnO2质量比9:1，称取一定量的金属铟加入到65‑68wt％HNO3或36‑37wt％HCl溶液中完全溶解，配制成铟盐溶液，称取相应量SnCl4·5H2O白色晶体加入到铟盐溶液中，搅拌配制成In3+浓度为0.5‑2mol/L的混合盐溶液；(2)制备NaHCO3‑Na2CO3溶液或NH4AC溶液作为缓冲溶液，加入聚乙烯醇吡咯烷酮、十二烷基磺酸钠或可溶性淀粉作为分散剂；(3)将氨水、尿素溶液或NaOH溶液作为沉淀剂，与混合盐溶液同时滴加入缓冲溶液中；(4)反应结束后，陈化3‑6个小时，沉淀经分离、洗涤、干燥得到白色前驱体；(5)将前驱体在600‑800℃下，煅烧4‑8h，得到纳米级氧化铟锡粉体。
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