[发明专利]一种磁性中空结构分子印迹聚合物的制备方法有效
| 申请号： | 201610062396.1 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105693918B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陆宏志;徐守芳 | 申请（专利权）人： | 临沂大学 |
| 主分类号： | C08F220/28 | 分类号： | C08F220/28;C08F220/32;C08J9/26;C08F8/42;B01J20/26 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人： | 陆菊华 |
| 地址： | 273306 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种磁性中空结构分子印迹聚合物的制备方法，包括如下步骤（1）以甲基丙烯酸羟乙酯为功能单体，甲基丙烯酸缩水甘油酯为共单体，采用多步种子溶胀聚合法制备在表面嫁接了环氧基的具有中空结构的分子印迹聚合物；（2）步骤（1）的分子印迹聚合物用高氯酸处理，使表面的环氧基开环；（3）经步骤（2）处理的分子印迹聚合物用溶剂分散，再按铁离子与亚铁离子的摩尔比为21加入铁盐和亚铁盐，调节至碱性，反应得到磁性中空结构分子印迹聚合物。本发明先制备中空印迹聚合物，然后在其表面原位生长磁性粒子，从而成功制备出具有磁性中空结构的分子印迹聚合物。其具有高结合容量和快速磁分离特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 中空 结构 分子 印迹 聚合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性中空结构分子印迹聚合物的制备方法，包括如下步骤：（1）以甲基丙烯酸羟乙酯为功能单体，甲基丙烯酸缩水甘油酯为共单体，采用多步种子溶胀聚合法制备在表面嫁接了环氧基的具有中空结构的分子印迹聚合物；（2）步骤（1）的分子印迹聚合物用高氯酸处理，使表面的环氧基开环；（3）经步骤（2）处理的分子印迹聚合物用溶剂分散，再按铁离子与亚铁离子的摩尔比为2:1加入铁盐和亚铁盐，调节至碱性，反应得到磁性中空结构分子印迹聚合物；步骤（1）的多步种子溶胀聚合法以聚苯乙烯微球为种子，先用助溶胀剂对种子进行第一次溶胀，再加入功能单体、共单体、致孔剂以及模板分子进行再次溶胀，然后加入交联剂和引发剂进行溶胀聚合，最后洗脱除去致孔剂、模板分子，得到表面嫁接了环氧基的具有中空结构的分子印迹聚合物；所述甲基丙烯酸羟乙酯与甲基丙烯酸缩水甘油酯的体积比为1:（0.8‑1.2）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于临沂大学，未经临沂大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610062396.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
