[发明专利]半导体装置、驱动控制装置及驱动控制方法无效
| 申请号： | 201610055074.4 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN106531798A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 仲敏行 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置、驱动控制装置及驱动控制方法。实施方式的半导体装置具备场效晶体管、开关、及控制部。场效晶体管具有衬底、设置在衬底之上的氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在漏极电极与源极电极之间的栅极电极。开关能够将衬底的电位切换为多个电位。控制部根据漏极电极的输入而以成为多个电位中的任一电位的方式控制开关。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 驱动 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：场效晶体管，具有衬底、设置在所述衬底之上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在所述漏极电极与所述源极电极之间的栅极电极；开关，能够将所述衬底的电位切换为多个电位；及控制部，根据所述漏极电极的输入而以成为所述多个电位中的任一电位的方式控制所述开关。
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