[发明专利]量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置有效
| 申请号: | 201610050885.5 | 申请日: | 2016-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN105514302B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
| 发明(设计)人: | 李延钊;鲍里斯·克里斯塔尔;钟杰兴;王龙;陈卓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L51/54;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 贺月娇,李峥 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明实施例涉及量子点发光二极管亚像素阵列的制造方法、由此制造的量子点发光二极管亚像素阵列以及包括该量子点发光二极管亚像素阵列的显示装置。根据本发明实施例的量子点发光二极管亚像素阵列的制造方法包括以下步骤量子点接受层形成步骤在衬底之上形成量子点接受层;热感性量子点材料层施加步骤在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层,其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体;以及热感性量子点材料转移步骤通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应,以将所述预定区域的热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。 | ||
| 搜索关键词: | 量子 发光二极管 像素 阵列 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种制造量子点发光二极管亚像素阵列的方法,包括以下步骤:量子点接受层形成步骤:在衬底之上形成量子点接受层;热感性量子点材料层施加步骤:在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层,其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体;以及热感性量子点材料转移步骤:通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应,以将所述预定区域的所述热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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