[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610048880.9 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106531797A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李彦儒;李启弘;丁姮彣;徐梓翔;金志昀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第一隔离结构以及多个外延结构。衬底具有多个位于其中的半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，以及第二隔离结构延比第一隔离结构伸至衬底内更远。外延结构分别设置在半导体鳍上。外延结构彼此分离，以及至少一个外延结构具有大致圆形轮廓。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有位于所述衬底中的多个半导体鳍；至少一个第一隔离结构，设置在所述半导体鳍之间；至少两个第二隔离结构，其中，所述半导体鳍设置在所述第二隔离结构之间，以及所述第二隔离结构比所述第一隔离结构延伸至所述衬底内更远；以及多个外延结构，分别设置在所述半导体鳍上，其中，所述外延结构彼此分离，以及所述外延结构的至少一个具有大致圆形轮廓。
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