[发明专利]用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆工艺

摘要

本发明涉及一种用于模压芯片级封装的晶圆工艺，包括在晶圆上的芯片焊接垫上沉积金属凸块；在晶圆正面制备第一封装层，覆盖金属凸块；在晶圆的边缘处制备未覆盖环，使多个划线中每个划线的两端都裸露出来；减薄第一封装层，使金属凸块裸露出来；制备切割槽；研磨晶圆的背面，在晶圆边缘处形成凹陷空间和支撑环；在凹陷空间中晶圆的背面沉积金属种子层；切除晶圆的边缘部分；在衬底上翻转并安装晶圆；沉积覆盖着金属种子层的金属层；从晶圆上除去衬底；通过沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层和金属层，使单独的芯片与晶圆分离。

主权项

一种用于封装形成在半导体晶圆正面的半导体芯片的模压芯片级封装的晶圆工艺，其特征在于，每个半导体芯片都包括多个金属焊接垫，分别形成在所述的每个半导体芯片的正面上；所述的晶圆工艺包括以下步骤：在多个金属焊接垫上都制备一个相应的金属凸块；在半导体晶圆的正面制备一个第一封装层，以覆盖金属凸块，其中第一封装层的半径小于半导体晶圆的半径，从而在半导体晶圆的边缘形成一个未覆盖环，其中多个划线中每个划线的两端都位于两个邻近的半导体芯片之间，并且延伸到未覆盖环的正面；减薄第一封装层，使金属凸块从第一封装层裸露出来；通过沿着连接在未覆盖环的正面裸露出来的所述每个划线两端的直线，切割第一封装层，沿所述的每个划线，在减薄第一封装层的正面，制备一个相应的切割槽；在半导体晶圆的背面研磨，以便在半导体晶圆的背面形成一个凹陷空间，在半导体晶圆的边缘处形成一个支撑环；在凹陷空间中半导体晶圆的底面，沉积一个金属种子层；切除半导体晶圆的边缘部分；翻转并安装半导体晶圆在衬底上，减薄的第一封装层直接连接到衬底的顶面；沉积一个金属层，覆盖金属种子层；从半导体晶圆上除去衬底；并且通过沿切割槽，切割第一封装层、半导体晶圆、金属种子层以及金属层，将单独的半导体芯片从半导体晶圆切割分离，其中将第一封装层切割成多个顶部封装层，其中多个顶部封装层中各自的顶部封装层都覆盖着所述的每个半导体芯片的正面，其中各自的金属凸块都从所述的每个半导体芯片各自的顶部封装层裸露出来，其中金属层切割成多个底部金属层，其中多个底部金属层各自的底部金属层都覆盖着所述的每个半导体芯片的背面。