[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法。该方法包括：提供基板，基板包括相对设置的第一表面及第二表面；形成栅极，栅极设置在第一表面上；形成第一绝缘层，第一绝缘层覆盖在栅极上；在第一绝缘层上形成金属氧化物半导体层；对金属氧化物半导体层的两端区域进行离子注入，经过离子注入的金属氧化物半导体层的两端区域分别为源极和漏极，未经过离子注入的金属氧化物半导体层的区域为有源层；形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖源极、漏极及有源层；在第二绝缘层上开设用于裸露源极或漏极的贯孔；形成像素电极，像素电极设置在第二绝缘层上，并通过贯孔与源极或漏极连接。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；栅极，设置在所述第一表面上；第一绝缘层，覆盖在所述栅极上；有源层，设置在所述第一绝缘层远离所述基板的表面上；源极和漏极，所述源极和所述漏极分别设置在所述第一绝缘层上且分别设置于所述有源层的相对的两端，并且所述源极和所述漏极分别与所述有源层的端面接触；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述有源层、所述源极及所述漏极，所述第二绝缘层上设置有用于裸露所述源极或所述漏极的贯孔；像素电极，所述像素电极设置在所述第二绝缘层上，并通过所述贯孔与所述漏极连接，其中，所述第二绝缘层上开设有第一贯孔及第二贯孔，所述第一贯孔对应所述源极设置，所述第二贯孔对应所述漏极设置，所述像素电极通过所述第二贯孔与所述漏极连接；所述薄膜晶体管阵列基板还包括第一电极，所述第一电极通过所述第一贯孔与所述源极相连，所述第一电极用于改善所述源极的导电性能。