[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，具备：具有第一面和第二面的半导体层；半导体层内的第一导电型的漂移区域；漂移区域与第一面之间的第二导电型的体区域；第一导电型的源极区域；第一栅极电极；在与第一栅极电极之间夹着体区域而设置的第二栅极电极；第一以及第二栅极绝缘膜；第二面与第一栅极电极之间的第一场板电极；第二面与第二栅极电极之间的第二场板电极；漂移区域内的第一导电型的第一区域；设置在第一区域与体区域之间且第一导电型杂质浓度比第一区域高的第二区域；以及设置在第二区域与体区域之间且第一导电型杂质浓度比第二区域低的第三区域。

主权项

1.一种半导体装置，具备：半导体层，具有第一面和第二面；第一导电型的漂移区域，设置在上述半导体层内；第二导电型的体区域，设置在上述漂移区域与上述第一面之间的上述半导体层内；第一导电型的源极区域，设置在上述体区域与上述第一面之间的上述半导体层；第一栅极电极；第二栅极电极，设置为在与上述第一栅极电极之间夹着上述体区域；第一栅极绝缘膜，设置在上述第一栅极电极与上述体区域之间；第二栅极绝缘膜，设置在上述第二栅极电极与上述体区域之间；第一场板电极，设置在上述第二面与上述第一栅极电极之间；第二场板电极，设置在上述第二面与上述第二栅极电极之间；第一场板绝缘膜，设置在上述第一场板电极与上述漂移区域之间；第二场板绝缘膜，设置在上述第二场板电极与上述漂移区域之间；第一导电型的第一区域，上述第一区域的至少一部分设置在上述第一场板电极与上述第二场板电极之间的上述漂移区域内；第二区域，设置在上述第一区域与上述体区域之间的上述漂移区域内，上述第二区域的第一导电型杂质浓度比上述第一区域高；以及第三区域，设置在上述第二区域与上述体区域之间的上述漂移区域内，上述第三区域的第一导电型杂质浓度比上述第二区域低，上述第二区域的第一导电型杂质浓度成为最大的位置位于下述2个面之间，该2个面将包含上述第一场板电极的上述第二面侧的端部在内且与上述第二面平行的面和包含上述漂移区域与上述体区域的边界在内且与上述第二面平行的面之间3等分。