[发明专利]一种基于纳米压印的图形转移制备光栅的方法在审
| 申请号： | 201610043749.3 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105487151A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 夏志林;邱志方 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于光学薄膜微纳结构制备技术领域。一种基于纳米压印的图形转移制备光栅的方法，其特征在于包括有以下步骤：1）基片上聚合物的涂布；2）压模模板的制备；3）压印过程：把涂敷聚合物的基片及压模模板安装到压印机的两个压印盘上，加热到聚合物玻璃态相变点温度附近时，加压，使聚合物充满压模图案，然后进行冷却；当温度降到相变点附近时，将压模模板与基片分开，得到聚合物掩模槽型；4）微纳图形转移：直接利用电子束蒸发法将所需光栅脊材料填充进聚合物掩模槽型中，利用光控膜厚技术监控沉积厚度，再用有机溶剂溶解聚合物花纹，形成与掩模互补的光栅结构，得到基于纳米压印的图形转移制备光栅。该方法制备工艺简单，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 压印 图形 转移 制备 光栅 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米压印的图形转移制备光栅的方法，其特征在于包括有以下步骤：1）基片上聚合物的涂布：在光滑洁净的基片上均匀的旋涂一层聚合物，放入烘箱中烘干备用；2）压模模板的制备：将压模毛坯材料加工成所需光栅几何结构的压模模板；3）压印过程：把涂敷聚合物的基片及压模模板安装到压印机的两个压印盘上，加热到聚合物玻璃态相变点温度附近时，加压，使聚合物充满压模图案，然后进行冷却；当温度降到相变点附近时，将压模模板与基片分开；当温度降到室温时，将基片烘干后即得到聚合物掩模槽型；4）微纳图形转移：直接利用电子束蒸发法将所需光栅脊材料填充进聚合物掩模槽型中，利用光控膜厚技术监控沉积厚度，再用有机溶剂溶解聚合物花纹，形成与掩模互补的光栅结构，得到基于纳米压印的图形转移的光栅。
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