[发明专利]场效应二极管在审
| 申请号： | 201610036965.5 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105552134A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张永晖;梅增霞;梁会力;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;张磊 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应二极管，包括：依次堆叠的导电层、绝缘层和沟道层；与所述沟道层接触的第一电极和第二电极，所述第二电极与所述导电层电连接。本发明的场效应二极管具有高整流比。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 二极管 | ||
【主权项】：
一种场效应二极管，其特征在于，包括：依次堆叠的导电层、绝缘层和沟道层；与所述沟道层接触的第一电极和第二电极，所述第二电极与所述导电层电连接。
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