[发明专利]负离子源装置有效
| 申请号： | 201610034447.X | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105810538B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 衛藤晴彦 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01J27/02 | 分类号： | H01J27/02;H01J37/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够增加负离子的生成量的负离子源装置。本发明的负离子源装置(100)具备：过滤磁场生成部(110B)，生成屏蔽规定能量以上的电子的磁场；及促进物质附着面积增加部(117)，设置于生成磁场的磁场区域即负离子生成区域(E2)内，且增加附着促进物质的部分的面积。在通过过滤磁场生成部(110B)生成的磁场区域内由于屏蔽规定能量以上的电子的侵入，因此在该磁场区域不会遭高能量的电子的破坏，而生成负离子。在该磁场区域内附着有促进物质的部分的表面，功函数因促进物质而下降，由此进行负离子的表面生成。因此，通过在磁场区域设置有促进物质附着面积增加部(117)，进行负离子的表面生成的部分的面积得到增加。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场区域 负离子 负离子源 磁场生成部 面积增加 物质附着 屏蔽 附着 磁场 过滤 高能量 功函数 生成量 侵入 | ||
【主权项】：
一种负离子源装置，具备：腔室，在内部生成负离子；原料气体供给部，向所述腔室内供给原料气体；等离子体生成部，利用由所述原料气体供给部供给的所述原料气体来生成等离子体；等离子体电极，设置于所述腔室的一端侧，且具有引出所生成的所述负离子的引出孔；促进物质供给部，将促进所述负离子的生成的促进物质供给到所述腔室内；过滤磁场生成部，设置于所述腔室的所述一端侧，且生成屏蔽规定能量以上的电子的磁场；及促进物质附着面积增加部，设置于生成所述磁场的磁场区域内，且增加附着所述促进物质的部分的面积，所述促进物质附着面积增加部由形成于所述等离子体电极的表面的凹凸部构成，所述凹凸部设置在所述等离子体电极的表面的一部分上，为以所述引出孔为中心的圆形。
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