[发明专利]闪存结构的制造方法

摘要

一种闪存结构的制造方法，包括提供衬底，包括逻辑区和存储单元区；在衬底上形成字线层；采用显影剂对字线层表面进行中和处理；进行中和处理后，通过曝光显影工艺在字线层表面形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出逻辑区的字线层表面；以图形化的光刻胶层为掩膜，去除逻辑区的字线层，在存储单元区形成字线。本发明在进行曝光显影工艺之前，先采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理，避免所述曝光显影工艺中采用的显影剂的离子与字线层表面发生酸碱中和反应，从而提高所述显影剂的显影效果，曝光显影工艺的显影剂对光刻胶层充分显影，避免逻辑区的字线层表面有光刻胶残留，使逻辑区的字线层可以被去除完全，进而提高闪存结构的良率。

主权项

一种闪存结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑区和存储单元区；在所述衬底上形成字线层；采用包含碱性离子的显影剂对所述字线层表面进行中和处理；进行所述中和处理后，通过曝光显影工艺在所述字线层表面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出所述逻辑区的字线层表面；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述逻辑区的字线层，在存储单元区形成字线。