[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610028286.3 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN106531796B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的半导体装置具备具有第1面及第2面的SiC层、设置在SiC层内的第1导电型的第1SiC区域、第2导电型的第1及第2柱区域、设置在第1及第2柱区域与第1面之间的第2导电型的第3及第4柱区域、设置在第3柱区域与第4柱区域之间的栅极电极、第2导电型的第1及第2主体区域、栅极绝缘膜、设置在第3及第4柱区域与栅极电极之间的第5及第6柱区域以及第1导电型的第1及第2源极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：SiC层，具有第1面及第2面；/n第1导电型的第1 SiC区域，设置在所述SiC层内；/n第2导电型的第1柱区域，设置在所述第1 SiC区域内；/n第2导电型的第2柱区域，设置在所述第1 SiC区域内；/n第2导电型的第3柱区域，设置在所述第1柱区域与所述第1面之间，且第2导电型的杂质浓度比所述第1柱区域高；/n第2导电型的第4柱区域，设置在所述第2柱区域与所述第1面之间，且第2导电型的杂质浓度比所述第2柱区域高；/n栅极电极，至少一部分设置在所述第3柱区域与所述第4柱区域之间；/n第2导电型的第1主体区域，设置在所述第1 SiC区域与所述第1面之间，且第2导电型的杂质浓度比所述第3柱区域低；/n第2导电型的第2主体区域，设置在所述第1 SiC区域与所述第1面之间，且第2导电型的杂质浓度比所述第4柱区域低；/n栅极绝缘膜，设置在所述第1主体区域与所述栅极电极之间以及所述第2主体区域与所述栅极电极之间，且以所述第1面为基准的所述第2面侧的端部的深度浅于以所述第1面为基准的所述第3柱区域及所述第4柱区域的深度；/n第2导电型的第5柱区域，与所述第3柱区域接触地设置在所述第3柱区域与所述栅极电极之间，并在与所述栅极电极之间夹着所述第1 SiC区域，且第2导电型的杂质浓度比所述第3柱区域低；/n第2导电型的第6柱区域，与所述第4柱区域接触地设置在所述第4柱区域与所述栅极电极之间，并在与所述栅极电极之间夹着所述第1 SiC区域，且第2导电型的杂质浓度比所述第4柱区域低；/n第1导电型的第1源极区域，设置在所述第1主体区域与所述第1面之间；以及/n第1导电型的第2源极区域，设置在所述第2主体区域与所述第1面之间；/n所述第5柱区域与所述第6柱区域之间的距离短于所述第1柱区域与所述第2柱区域之间的距离。/n
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