[发明专利]SiC单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201610027997.9 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105803529A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 阿部信平 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供一种在SiC单晶生长中在Si-C溶液面附近经常成为所期望的温度梯度，不使SiC单晶的生长速度下降的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使C的Si溶液与晶种接触并提拉SiC单晶的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，将晶种与晶种保持器连接，将冷却机构设置于上述晶种保持器，根据SiC单晶的提拉量的增加，利用上述冷却机构来促进上述晶种保持器的冷却。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
SiC单晶的制造方法，其为使C的Si溶液与晶种接触并提拉SiC单晶的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，将所述晶种与晶种保持器连接，根据所述SiC单晶的提拉量的增加来促进所述晶种保持器的冷却。
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