[发明专利]半导体装置

摘要

在同一半导体衬底上配置功率元件和感热元件，感热元件经由电阻器将PN结的一方与接地电位VSS或电源电位VDD的任一个连接，将所述PN结的两端的电位差与电阻器的两端的电位差之和用作温度检测的信号。由此，避开闩锁而能够将感温元件配置在设于功率元件的凹坑，能够作成在半导体衬底上使功率元件的某一地点与感热元件的某一地点的温度差较小的半导体装置。

主权项

 一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；在所述半导体衬底邻接设置的功率元件及感热元件；以及设在所述感热元件的周围的电阻器，所述感热元件具有形成在所述半导体衬底内的PN结，形成所述PN结的P型区域、N型区域的任一个区域经由所述电阻器与接地电位VSS或电源电位VDD的任一个连接，所述功率元件具有收纳所述感热元件的凹坑，在所述凹坑未形成所述功率元件的阱、源极、漏极及栅电极。