[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，包括：半导体衬底，形成于半导体衬底上的多个像素区域，形成于相邻像素区域之间半导体衬底中的深沟槽，在深沟槽中填充有掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，在半导体衬底中对应像素区域内形成有多个具有第二导电类型的阱区，在半导体衬底上还形成有与多晶硅相连的通孔，以及与通孔相连的互连金属层。本发明的CMOS图像传感器在相邻像素区域之间的半导体衬底中形成深沟槽，并在深沟槽中填充掺杂的多晶硅，彻底隔绝相邻的像素区域，通过通孔将多晶硅连接互连金属层，并可通过施加特定的电压，从而将像素区域中产生的多余的光电子导出，因此，CMOS图像传感器具有较高的性能。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底上的多个像素区域，形成于相邻所述像素区域之间所述半导体衬底中的深沟槽，在所述深沟槽中填充有掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，在所述半导体衬底中对应所述像素区域内形成有多个具有第二导电类型的阱区，在所述半导体衬底上还形成有与所述多晶硅相连的通孔，以及与所述通孔相连的互连金属层，以通过施加特定的电压将像素区域中产生的多余的光电子导出，在相邻所述像素区域之间的半导体衬底中还形成有具有所述第一导电类型的隔离阱，所述隔离阱包围部分所述深沟槽，所述隔离阱的底部高于所述深沟槽的底部。