[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、绝缘部、第1电极、栅极电极以及第2电极。第2半导体区域具有第1部分。第3半导体区域与第1部分在第2方向上排列。绝缘部的一侧与第1部分相接。绝缘部的另一侧与第3半导体区域相接。第1电极以及栅极电极被绝缘部包围。第1电极的至少一部分被第1半导体区域包围。栅极电极与第1电极隔开间隔设置。栅极电极在第2方向上与第2半导体区域相面对。第2电极设置在第3半导体区域之上。第2电极与第1电极以及第3半导体区域电连接。

主权项

一种半导体装置，其中，具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的多个第2半导体区域，具有第1部分，设置在上述第1半导体区域之上；第1导电型的第3半导体区域，选择性地设置在上述第2半导体区域，在相对于从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上与上述第1部分排列；绝缘部，设置在上述多个第2半导体区域之间，一侧与上述第1部分相接，另一侧与上述第3半导体区域相接；第1电极，被上述绝缘部包围，至少一部分被上述第1半导体区域包围；栅极电极，与上述第1电极隔开间隔而设置，被上述绝缘部包围，在上述第2方向上与上述第2半导体区域相面对；以及第2电极，设置在上述第3半导体区域之上，与上述第1电极以及上述第3半导体区域电连接。