[发明专利]形成半导体结构的方法及其半导体结构

摘要

在形成延伸穿过存在于基板(基板从下到上包括处理基板、化合物半导体模板层和掩埋绝缘体层)上的顶部元素半导体层的第一沟槽和第二沟槽以限定用于p型金属氧化物半导体晶体管的顶部元素半导体层部分之后，第二沟槽竖直扩展穿过掩埋绝缘体层，以提供扩展的第二沟槽，扩展的第二沟槽将化合物半导体模板层的顶表面暴露在扩展的第二沟槽的底部。化合物半导体缓冲层和顶部化合物半导体层的堆叠被外延生长在用于n型金属氧化物半导体晶体管的扩展的第二沟槽内的化合物半导体模板层上。

主权项

1.一种半导体结构，包括：基板，包括处理基板、存在于所述处理基板上的化合物半导体模板层、以及存在于所述化合物半导体模板层上的掩埋绝缘体层；顶部元素半导体层部分，存在于所述基板的第一部分上，并且与所述掩埋绝缘体层的顶表面接触；以及化合物半导体层的堆叠，存在于所述基板的第二部分上，并且包括与所述化合物半导体模板层的顶表面接触的化合物半导体缓冲层和存在于所述化合物半导体缓冲层上的顶部化合物半导体层，其中所述堆叠的下部由所述掩埋绝缘体层侧向围绕,其中所述顶部化合物半导体层的上部突出在包括所述元素半导体层部分的顶表面的水平面上方。