[发明专利]分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法

摘要

本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法，该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中，制备激光器中布拉格光栅的方法包括：在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶，所述光栅材料层位于金属n电极上；按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比，通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光，并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉，其中，所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分，所述N的值为大于1的正整数；采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉，从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。

主权项

1.一种具有布拉格光栅结构的分布反馈半导体激光器的制备方法，其特征在于，该方法具体包括：在金属n电极上依次沉积n型缓冲层、下波导层、多量子阱有源层、光栅材料层；在所述光栅材料层上涂抹电子束曝光胶；按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比，通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光，其中，所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分，采用有机溶剂将所述光栅材料层上曝光后的电子束曝光胶溶解掉，并采用刻蚀的方法，将溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉，从而形成半导体激光器中的布拉格光栅的结构；在所述形成的光栅结构上依次沉积上波导层、保护层和波导层，所述波导层经过刻蚀处理，形成脊形波导层，其中，所述保护层为InGaAsP材料层；在所述脊形波导层上依次沉积p型限制层、p型欧姆接触层和金属P电极，获得具有布拉格光栅结构的分布反馈半导体激光器；其中，所述在所述脊形波导层上依次沉积p型限制层、p型欧姆接触层具体包括：在所述脊形波导层上依次沉积1.5～2.0微米的p型InP限制层和80～120纳米的p型InGaAs欧姆接触层；在p型欧姆接触层上沉积金属P电极后，在所述布拉格光栅表面和脊形波导表面沉积200～400纳米的SiO2的绝缘层；所述在金属n电极上依次沉积n型缓冲层、下波导层、多量子阱有源层和光栅材料层具体包括：在金属n电极上依次沉积180～220纳米的n型InP缓冲层、80～120纳米的非掺杂晶格匹配的InGaAsP下波导层、应变InGaAsP多量子阱和InGaAsP光栅材料层，所述应变InGaAsP多量子阱中的量子阱的个数为5～10个，每个量子阱的阱宽为7～9纳米,垒宽为8～12纳米,压应变为0.5％。