[发明专利]一种利伐沙班的新晶体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种利伐沙班的新晶体及其制备方法，其中该利伐沙班的新晶体为晶体SMN‑F，其X‑射线粉末衍射图谱在衍射角2θ为3.7±0.2、7.3±0.2、14.5±0.2、21.8±0.2、29.2±0.2、31.9±0.2和33.5±0.2处有衍射峰。本发明提供的利伐沙班SMN‑F晶体的制备方法具有工艺简单、耗时短、适于工艺化生产等优点。同时本发明提供的方法制备出的利伐沙班SMN‑F晶体具有纯度高、溶解速度快、溶解度好等的优点。

主权项

1.一种利伐沙班的晶体SMN‑F，其特征在于该晶体的X‑射线粉末衍射图谱在衍射角2θ为3.7±0.2、7.3±0.2、14.0±0.2、14.5±0.2、18.2±0.2、18.4±0.2、19.9±0.2、20.6±0.2、21.8±0.2、23.1±0.2、25.0±0.2、26.4±0.2、28.4±0.2、29.2±0.2、31.9±0.2、33.5±0.2、34.1±0.2、35.5±0.2、36.8±0.2、37.1±0.2处有衍射峰。