[发明专利]富锂负极片及二次电池有效

专利信息
申请号: 201610015081.1 申请日: 2016-01-11
公开(公告)号: CN106960945B 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 潘建伟;陶兴华;谢斌;李旭东;李克强;张盛武 申请(专利权)人: 宁德时代新能源科技股份有限公司
主分类号: H01M4/136 分类号: H01M4/136;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 11387 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 张向琨<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 352100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种富锂负极片及二次电池。所述富锂负极片包括:负极集流体;以及负极膜片,位于负极集流体上且包括负极活性物质、负极粘接剂以及负极导电剂。所述负极活性物质含有一种或几种选自Si、Sn、SiOx、SnOy、Si/C、Sn/C、Si的卤化物、Sn的卤化物、Si合金、Sn合金中的物质,其中0<x<2,0<y<2。所述富锂负极片还包括:多孔导电涂层,位于负极膜片上、具有多孔结构且包括涂层导电剂以及涂层粘接剂;以及金属锂层,位于多孔导电涂层上。本发明的富锂负极片能解决负极补锂后会发热的问题,且二次电池具有良好的电化学性能。
搜索关键词: 负极 二次 电池
【主权项】:
1.一种富锂负极片,包括:/n负极集流体;以及/n负极膜片,位于负极集流体上且包括负极活性物质、负极粘接剂以及负极导电剂;/n其特征在于,/n所述负极活性物质含有一种或几种选自Si、Sn、SiOx、SnOy、Si/C、Sn/C、Si的卤化物、Sn的卤化物、Si合金、Sn合金中的物质,其中0<x<2,0<y<2;/n所述富锂负极片还包括:/n多孔导电涂层,位于负极膜片上、具有多孔结构且包括涂层导电剂以及涂层粘接剂;以及/n金属锂层,位于多孔导电涂层上。/n
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