[发明专利]Cu1.8Se/C复合纳米管阵列及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201610015008.4 申请日: 2016-01-11
公开(公告)号: CN105679543B 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 王敏;宰建陶;钱雪峰;李波;陈文龙;刘雪娇;黄守双;何青泉;李晓敏;马对;刘园园;张洋;张敏敏 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司31225 代理人: 陈亮
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及Cu1.8Se/C复合纳米管阵列及其制备方法和应用,纳米管阵列由生长在导电基底上的碳纳米管和生长在碳纳米管内壁的Cu1.8Se纳米颗粒组成,首先在ZnO/ZnSe阵列上包覆碳层,进一步通过阳离子交换在碳层内壁原位负载了Cu1.8Se纳米粒子。该阵列可直接用作量子点敏化太阳能电池的对电极,组装成三明治结构的量子点敏化电池。所合成的Cu1.8Se/C复合纳米管阵列的性能远远高于传统的Cu2S/黄铜片、Pt对电极和Cu1.8Se纳米管阵列。本发明的方法为制备其他材料的量子点敏化太阳能电池对电极提供了可以借鉴的思路。
搜索关键词: cu sub 1.8 se 复合 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
Cu1.8Se/C复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:(1)在惰性气氛下将氧化锌阵列浸入1‑10mmol/L硒离子溶液中保持0.5‑5h;(2)在经过步骤(1)处理的阵列上沉积碳层,然后在1‑100wt%冰醋酸溶液中浸泡5‑120min;(3)在惰性气氛下将步骤(2)处理过的阵列在0.01‑1mmol/L铜离子溶液中浸泡0.5‑10h,经过去离子水冲洗、干燥后即可获得Cu1.8Se/C复合纳米管阵列,该纳米管阵列由生长在导电基底上的碳纳米管和生长在碳纳米管内壁的Cu1.8Se纳米颗粒组成。
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