[发明专利]薄膜晶体管基底和制造薄膜晶体管基底的方法有效
| 申请号： | 201610013502.7 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105810751B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 柳明官;金亿洙;孙暻锡;崔昇夏;金昭娟;金贤;朴恩惠;朱炳焕 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管基底和一种制造薄膜晶体管基底的方法。所述薄膜晶体管基底包括：栅电极；沟道层，与栅电极叠置；源电极，与沟道层叠置；漏电极，与沟道层和源电极叠置；以及间隔件，设置在源电极和漏电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 基底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：栅电极；沟道层，与所述栅电极叠置；源电极，与所述沟道层叠置；漏电极，与所述沟道层和所述源电极叠置；以及间隔件，设置在所述源电极和所述漏电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610013502.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于智能调光膜的准晶图案化的透明导电薄膜电极
- 下一篇：N型薄膜晶体管
- 同类专利
- 专利分类
