[发明专利]由半导体与含导电区域的绝缘体构成的半导体器件耐压区在审
| 申请号： | 201610013035.8 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106960868A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈星弼 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 610054 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件在器件的两个相对的主表面内含有至少一个元胞，每个元胞在第一主表面内有一个器件的第一特征区，在第二主表面内有一个器件的第二特征区，在两个器件的特征区之间存在一个耐压区，耐压区包括至少一个半导体区和一个(I+C)区,所述的(I+C)区既有绝缘体又有导电体，半导体区和(I+C)区均有相互直接连接的面。这种耐压区结构不仅可利用来制造高耐压的器件，还可以用作高耐压器件的结边缘技术。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 导电 区域 绝缘体 构成 半导体器件 耐压 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括一个第一主表面和一个与第一主表面相对的第二主表面，在所述第一主表面和所述第二主表面内至少含有一个元胞，所述元胞在紧贴所述第一主表面内有一个器件的第一特征区，在紧贴所述第二主表面内有一个器件的第二特征区，在器件的所述第一特征区和所述第二特征区之间存在一个耐压区，其特征在于：所述耐压区包括至少一个半导体区和一个(I+C)区，所述半导体区和所述(I+C)区之间有相互直接连接的面；所述(I+C)区至少含有一个绝缘体区并至少含有一个导电区域；所述半导体器件至少有两个电极；一个电极紧贴于所述第一主表面的部分区域或全部区域；另一个电极紧贴于所述第二主表面的部分区域或全部区域；两个电极在所述第一主表面和所述第二主表面所夹的空间的外部。
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