[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管器件有效
| 申请号： | 201610010199.5 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN106960867B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李宇柱 | 申请（专利权）人： | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 黄智明 |
| 地址： | 213200 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开，沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，有源原胞包括N+发射区和P+接触区，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连，有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区，有源原胞内的P型阱区通过P+接触区和发射极电极相连，虚拟原胞内的P型阱区是不连续的，而且其电位悬空。本发明在具有虚拟原胞的IGBT结构的基础上，把悬空P型深阱变成较浅的悬空P型阱区，而且悬空P型阱区不连续，从而提高器件的载流子浓度，获得更低的正向饱和压降，进一步降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，包括背面的金属集电极(12)、P型集电极(11)、N型场终止层(10)和N‑漂移区(9)，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开；沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极(3)和栅氧化层(7)组成，有源原胞包括相互交替排列的一个或多个N+发射区(1)和多个P+接触区(2)，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连；有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区(6)，有源原胞内的P型阱区(6)通过P+接触区(2)和发射极电极相连，其特征在于：虚拟原胞内包含一个或多个P型阱区(6)，并且虚拟原胞内包含的所述一个或多个P型阱区(6)是不连续的，而且其电位悬空。
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