[发明专利]改善鳍式场效应管性能的方法在审
| 申请号： | 201610008943.8 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN106952806A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善鳍式场效应管性能的方法，包括提供衬底，衬底表面形成有分立的鳍部，衬底表面还形成有隔离层，隔离层覆盖鳍部部分侧壁表面，且隔离层顶部低于鳍部顶部；在隔离层表面形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁表面；形成覆盖所述鳍部顶部和侧壁表面、以及隔离层表面的非晶材料层；在非晶材料层表面形成氧化物掺杂层；对氧化物掺杂层进行退火处理，使掺杂离子扩散进入鳍部内，在栅极结构两侧的鳍部内形成掺杂区；去除氧化物掺杂层。在去除氧化物掺杂层的过程中，非晶材料层对隔离层起到保护作用，避免去除氧化物掺杂层的工艺对隔离层造成刻蚀损失，使得隔离层厚度保持不变，进而改善形成的鳍式场效应管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 场效应 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有分立的鳍部，所述衬底表面还形成有隔离层，所述隔离层覆盖鳍部部分侧壁表面，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部；在所述隔离层表面形成横跨鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁表面；形成覆盖所述鳍部顶部和侧壁表面、以及隔离层表面的非晶材料层；在所述非晶材料层表面形成氧化物掺杂层，所述氧化物掺杂层内具有掺杂离子；对所述氧化物掺杂层进行退火处理，使掺杂离子扩散进入鳍部内，在栅极结构两侧的鳍部内形成掺杂区；在进行所述退火处理后，去除所述氧化物掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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