[发明专利]ORing MOSFET控制电路及电源并联系统在审
| 申请号: | 201610007788.8 | 申请日: | 2016-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN105450008A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
| 发明(设计)人: | 李银贵;徐云中;舒有进;何海霞;杨嗣珵 | 申请(专利权)人: | 烽火通信科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02J1/10 |
| 代理公司: | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人: | 王卫东 |
| 地址: | 430074 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种ORing MOSFET控制电路及电源并联系统,ORing MOSFET控制电路包括控制单元、MOSFET管和阻容单元;控制单元包括第一三极管和第二三极管;MOSFET管的源极与漏极分别连接电源模块和公共母线,MOSFET管的栅极接第一三极管的集电极;第一、第二三极管的基极相互连接,且第二三极管的基极与集电极短接,第一、第二三极管的集电极分别接MOSFET管的源极与漏极;阻容单元由第一电阻与第一电容串接后分别连接MOSFET管的源极与漏极;第一、第二三极管的集电极连接偏置源。本发明在MOSFET管漏极和源极上并联一阻容单元,能降低MOSFET管尖峰电压;第一、第二三极管发射极分别接一二极管,能调节MOSFET管使其损耗更低,且防止输入极性接反时控制电路因过压损坏。 | ||
| 搜索关键词: | oring mosfet 控制电路 电源 并联 系统 | ||
【主权项】:
ORing MOSFET控制电路,包括控制单元和MOSFET管,所述控制单元包括第一三极管和第二三极管,所述MOSFET管的源极与漏极分别连接电源模块和公共母线,所述MOSFET管的栅极接所述第一三极管的集电极,所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接,且所述第二三极管的基极与集电极短接,所述第一、第二三极管的集电极分别接所述MOSFET管的源极与漏极,所述第一、第二三极管的集电极连接偏置源,其特征在于,还包括阻容单元,所述阻容单元由第一电阻与第一电容串接后分别连接所述MOSFET管的源极与漏极。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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