[发明专利]ORing MOSFET控制电路及电源并联系统在审

专利信息
申请号: 201610007788.8 申请日: 2016-01-07
公开(公告)号: CN105450008A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 李银贵;徐云中;舒有进;何海霞;杨嗣珵 申请(专利权)人: 烽火通信科技股份有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02J1/10
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人: 王卫东
地址: 430074 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种ORing MOSFET控制电路及电源并联系统,ORing MOSFET控制电路包括控制单元、MOSFET管和阻容单元;控制单元包括第一三极管和第二三极管;MOSFET管的源极与漏极分别连接电源模块和公共母线,MOSFET管的栅极接第一三极管的集电极;第一、第二三极管的基极相互连接,且第二三极管的基极与集电极短接,第一、第二三极管的集电极分别接MOSFET管的源极与漏极;阻容单元由第一电阻与第一电容串接后分别连接MOSFET管的源极与漏极;第一、第二三极管的集电极连接偏置源。本发明在MOSFET管漏极和源极上并联一阻容单元,能降低MOSFET管尖峰电压;第一、第二三极管发射极分别接一二极管,能调节MOSFET管使其损耗更低,且防止输入极性接反时控制电路因过压损坏。
搜索关键词: oring mosfet 控制电路 电源 并联 系统
【主权项】:
ORing MOSFET控制电路,包括控制单元和MOSFET管,所述控制单元包括第一三极管和第二三极管,所述MOSFET管的源极与漏极分别连接电源模块和公共母线,所述MOSFET管的栅极接所述第一三极管的集电极,所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接,且所述第二三极管的基极与集电极短接,所述第一、第二三极管的集电极分别接所述MOSFET管的源极与漏极,所述第一、第二三极管的集电极连接偏置源,其特征在于,还包括阻容单元,所述阻容单元由第一电阻与第一电容串接后分别连接所述MOSFET管的源极与漏极。
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