[发明专利]一种大曲率构件表层残余应力短声程超声无损探头有效

专利信息
申请号: 201610007332.1 申请日: 2016-01-06
公开(公告)号: CN105823582B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 徐春广;张翰明;李飞;田海兵;王俊峰;吕卓 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G01L1/25 分类号: G01L1/25;G01L5/00;G01N29/24
代理公司: 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 代理人: 韩登营
地址: 100081 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及了一种针对曲率大难耦合接触的构件而进行残余应力超声测量的装置。包括有机玻璃楔块、压电晶片、密封盖。传感器装置的功能实现是通过压电晶片一发一收以及自发自收的结构,其突出特点为临界折射纵波在被检测构件中的短声程传播以及携带测间距和纵向和横向残余应力的检测功能。该发明提出的设计思路新颖,发明装置的结构很好的解决了曲率大难耦合接触构件残余应力检测的难题,有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 曲率 构件 表层 残余 应力 短声程 超声 无损 探头
【主权项】:
1.一种大曲率构件表层残余应力短声程超声无损探头,其特征在于,它能对曲率大难耦合不易接触测量的构件通过非接触水耦合的方式,激发临界折射纵波,从而实现对其构件较小区域的纵向和横向残余应力的测量;其包括固定架、与所述固定架的一端固连的密封盖、与所述密封盖固连的有机玻璃楔块,其中在靠近所述密封盖的所述有机玻璃楔块端部的中心位置设置有测距压电晶片,在所述测距压电晶片的周围设置两对呈十字形分布的检测应力压电晶片,所述检测应力压电晶片底部向所述测距压电晶片倾斜设置。
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