[发明专利]半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 201610006707.2 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106952832B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 薛兴涛;何智清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底；在基底表面形成籽晶层；使用光刻胶剥离液对籽晶层表面进行处理；在光刻胶剥离液处理后的籽晶层上涂覆第一光刻胶层；图形化第一光刻胶层，以在第一光刻胶层内形成与后续要形成的重新布线层相对应的第一开口；在第一开口内形成重新布线层。通过在籽晶层上涂覆光刻胶层之前使用光刻胶剥离液对籽晶层表面进行处理，即可以去除籽晶层表面的氧化物，有效地避免在电镀过程中氧化物与酸性物质发生反应而导致光刻胶层倒掉情况的发生，又可以增加籽晶层表面的粗糙度，进而增加光刻胶层与籽晶层的粘结力，防止光刻胶层倒掉情况的发生，从而避免了后续重新布线层中桥接缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供基底；在所述基底表面形成籽晶层；使用光刻胶剥离液对所述籽晶层表面进行处理，所述光刻胶剥离液为二甲基亚砜与四甲基氢氧化铵的混合溶液且所述光刻胶剥离液的PH值为11～14；在所述光刻胶剥离液处理后的所述籽晶层上涂覆第一光刻胶层；图形化所述第一光刻胶层，以在所述第一光刻胶层内形成与后续要形成的重新布线层相对应的第一开口；在所述第一开口内形成重新布线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
