[发明专利]一种断电延时型继电器输出电路有效
申请号: | 201610006698.7 | 申请日: | 2016-01-06 |
公开(公告)号: | CN105656464B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 钱诚;凡冬青;刘中 | 申请(专利权)人: | 魏德米勒电联接(上海)有限公司 |
主分类号: | H03K17/28 | 分类号: | H03K17/28;H03K17/687;H03K17/78 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 200131 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种断电延时型继电器输出电路,该电路包括控制单元、MOSFET驱动光耦、MOSFET关断光耦、MOSFET驱动网络、MOSFET管和输出单元;控制单元分别与MOSFET驱动光耦和MOSFET关断光耦连接,MOSFET驱动光耦和MOSFET关断光耦均通过MOSFET驱动网络与MOSFET管连接,MOSFET管连接与输出单元连接。本发明的电路设计使得信号控制在断电延时阶段无需为维持输出状态消耗额外电流,降低了信号延时控制电路的储能要求,减小产品体积的同时可以降低元件成本;同时由于未采用传统磁保持继电器,产品可以全部使用贴片封装,容易实现更轻薄的产品尺寸,方便SMT生产减少生产时间,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 断电 延时 继电器 输出 电路 | ||
【主权项】:
1.一种断电延时型继电器输出电路,其特征在于,该电路包括控制单元、MOSFET驱动光耦、MOSFET关断光耦、MOSFET驱动网络、MOSFET管和输出单元;所述控制单元分别与所述MOSFET驱动光耦和所述MOSFET关断光耦连接,所述MOSFET驱动光耦和所述MOSFET关断光耦均通过所述MOSFET驱动网络与所述MOSFET管连接,所述MOSFET管与输出单元连接;其中,所述MOSFET驱动光耦为光电池输出型光耦;所述MOSFET驱动网络包括下拉电阻、储能电容、限压保护二极管、MOSFET驱动加速电容、驱动单向二极管和放电限流电阻,所述下拉电阻一端分别与所述放电限流电阻一端、所述MOSFET驱动加速电容一端、所述驱动单向二极管正极、所述MOSFET驱动光耦输出端正极连接,所述下拉电阻另一端分别与所述MOSFET驱动光耦输出端负极、所述MOSFET关断光耦输出端负极、所述储能电容一端、所述限压保护二极管正极、所述MOSFET管源极连接,所述放电限流电阻另一端分别与所述MOSFET驱动加速电容另一端、所述驱动单向二极管负极、所述MOSFET关断光耦输出端正极、所述储能电容另一端、所述限压保护二极管负极、所述MOSFET管栅极连接。
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