[发明专利]一种对位标记结构、掩模板、基板以及对位方法在审
申请号: | 201610006052.9 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105549320A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 李冬伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种对位标记结构、掩模板、基板以及掩膜板和基板的对位方法,所述对位标记结构,包括:设置于掩模板上的至少两个第一对位标记和至少两个第二对位标记,所述第一对位标记的图形尺寸大于所述第二对位标记的图形尺寸;设置于基板上的至少两个第三对位标记和至少两个第四对位标记,所述第三对位标记和所述第一对位标记的数量和位置一一对应,所述第四对位标记和所述第二对位标记的数量和位置一一对应。本发明公开的对位标记结构,在OLED显示器件的像素图案蒸镀过程中,能够使掩模板和基板高精准度对位,提高了对位效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 对位 标记 结构 模板 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种对位标记结构,应于掩膜板和基板上,所述掩模板具有图形区和包围图形区的非图形区,其特征在于,包括:设置于掩模板上的至少两个第一对位标记和至少两个第二对位标记,所述第一对位标记的图形尺寸大于所述第二对位标记的图形尺寸;设置于基板上的至少两个第三对位标记和至少两个第四对位标记,所述第三对位标记和所述第一对位标记的数量和位置一一对应,所述第四对位标记和所述第二对位标记的数量和位置一一对应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610006052.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备