[发明专利]一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法，本发明使用不同的方法进行黑硅制作，然后将样品置于双氧水和乙醇胺的混合液中浸洗，再将洗好的黑硅置于双氧水、氢氟酸、偏磷酸及氟化铵的混合液进行再处理，形成多晶硅表面倒金字塔结构。本发明采用了一种不同于酸碱腐蚀的湿化学方法，该方法可以最大限度的减小各向异性的影响，可以将不同纳米结构的黑硅通过氧化腐蚀成具有规则的倒金字塔结构的纳米绒面结构。本发明的多晶硅倒金字塔陷光结构相对于传统多晶硅绒面，其对光的利用率更高，反射率更低，因其倒金字塔结构特点，相对于传统黑硅小而密结构的高表面复合，其表面复合明显降低，使得太阳能电池的效率更高。

主权项

一种多晶硅表面倒金字塔结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、多晶硅硅片表面损伤层去除：将经过清洗后的多晶硅硅片置于氢氟酸和HNO3的混合溶液中，进行表面机械损伤层去除；步骤二、多晶硅硅片表面黑硅结构制作：采用金属离子辅助刻蚀法或使用飞秒激光脉冲法或反应离子刻蚀法进行黑硅制作；步骤三、多晶硅硅片表面倒金字塔织构的制作：先将上述方法制的黑硅置于含有双氧水和乙醇胺的混合液中浸洗，然后将洗好的黑硅置于双氧水、氢氟酸、偏磷酸及氟化铵的混合液再次浸洗；或者仅将黑硅置于双氧水、氢氟酸、偏磷酸及氟化铵的混合液浸洗；即可在多晶硅硅片表面制得倒金字塔结构；所述步骤三中，含有双氧水和乙醇胺的混合液，其百分比浓度配比为纯水68％‑97％、乙醇胺0％‑2％、氨水1％～10％和双氧水2％‑20％，反应温度为8℃‑30℃，反应时间为60s‑500s；双氧水、氢氟酸、偏磷酸及氟化铵的混合液，其百分比浓度配比为纯水73％‑94.9％、双氧水4％‑7％、氢氟酸0.1％‑3％、偏磷酸0％‑2％及氟化铵1％‑15％，反应温度为50℃‑80℃，反应时间为50s‑600s；步骤四、多晶硅硅片的清洗：将表面具有倒金字塔结构的多晶硅硅片在HF溶液中清洗，再放入纯水清洗，最后甩干。