[发明专利]反熔丝存储单元及其阵列有效
| 申请号： | 201610005318.8 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106057810B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种反熔丝存储单元包括反熔丝元件和栅极PN二极管。反熔丝元件包括：耦接至字线的栅极端子、耦接至位线的漏极端子、和本体端子。栅极PN二极管耦接在字线与栅极端子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 存储 单元 及其 阵列 | ||
【主权项】：
一种反熔丝存储单元，包括：反熔丝元件，包括：栅极端子，耦接至字线；漏极端子，耦接至位线；本体端子；以及栅极PN二极管，耦接在字线与栅极端子之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
