[发明专利]一种超薄遮光型聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610004974.6 申请日: 2016-01-06
公开(公告)号: CN105622970A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 徐勇;张茜茜;杨宇;李林霜 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L79/08;C08K3/22;C08G73/10
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种超薄遮光型聚酰亚胺薄膜及其制备方法,由纳米遮光填料和聚酰亚胺组成,遮光填料为钴黑、深钴黑、艳黑、镍黑、钴灰、锆灰和深钴蓝中的一种或几种。首先将遮光填料超声搅拌分散于高沸点强极性溶剂中,并将二胺单体和二酐单体在同种高沸点强极性溶剂中聚合得到聚酰胺酸溶液,之后将含有遮光填料的浆料与聚酰胺酸溶液搅拌混合均匀,最后将共混溶液涂在基板表面并热亚胺化即制得超薄遮光型聚酰亚胺薄膜。该薄膜厚度可降至12-13μm,在保持优异的机械性能、热性能、绝缘性能等特性的同时具备了遮光的特点。本发明的超薄遮光型聚酰亚胺薄膜在集成电路、印刷电路板等电子产品的封装应用中具有广泛的应用前景,实现物理和知识产权的双重保护。
搜索关键词: 一种 超薄 遮光 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种超薄遮光型聚酰亚胺薄膜,其特征在于,由纳米遮光填料和聚酰亚胺组成,其中,纳米遮光填料和聚酰亚胺的质量比为50~80:100,所述的纳米遮光填料选自钴黑、深钴黑、艳黑、镍黑、钴灰、锆灰和深钴蓝中的一种或几种,所述的纳米遮光填料的粒径为100nm~1μm。
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