[发明专利]一种氮化镓基LED外延结构在审
| 申请号： | 201610003586.6 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN105489720A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 冯雅清 | 申请（专利权）人： | 冯雅清 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/44 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 唐燕洁 |
| 地址： | 200135 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓基LED外延结构，属于氮化物半导体发光器件的外延生长技术领域。一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN：Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN：Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5-100nm的低温p型InAlGaN层。本发明通过在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层低温p型InAlGaN层，其生长温度为600-900℃，不会使在其之前生长的InGaN/GaN多量子阱层遭到破坏，从而避免了影响发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN：Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN：Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5‑100nm的低温p型InAlGaN层。
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