[发明专利]使用电介质减薄来减少量子设备中的表面损耗和杂散耦合有效
| 申请号： | 201580085786.4 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN109313726B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·爱德华·梅格兰特 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G06N20/00 | 分类号： | G06N20/00;H10N60/01;H10N60/80 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种量子设备包括：衬底；以及布置在所述衬底的表面上的至少三个共面结构，所述至少三个共面结构中的每个共面结构包括超导体，其中在第一共面结构与第二共面结构之间的第一有效电介质常数大于第一阈值，所述第二共面结构是所述第一共面结构的最靠近的相邻者，在所述第一共面结构与第三共面结构之间的第二有效电介质常数小于第二阈值，所述第三共面结构是所述第一共面结构的下一个最靠近的相邻者，以及所述第二阈值小于所述第一阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电介质 减薄来 减少 量子 设备 中的 表面 损耗 耦合 | ||
【主权项】：
1.一种量子设备，包括：衬底；以及布置在所述衬底的表面上的至少三个共面结构，所述至少三个共面结构中的每个共面结构包括超导体，其中，在第一共面结构与第二共面结构之间的第一有效电介质常数大于第一阈值，所述第二共面结构是所述第一共面结构的最靠近的相邻者，在所述第一共面结构与第三共面结构之间的第二有效电介质常数小于第二阈值，所述第三共面结构是所述第一共面结构的下一个最靠近的相邻者，以及所述第二阈值小于所述第一阈值。
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