[发明专利]一种在石墨烯表面形成栅介质层及制备晶体管的方法有效
| 申请号： | 201580085275.2 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108369910B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 梁晨;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供了一种在石墨烯表面形成栅介质层及制备FET的方法，涉及电子元器件技术领域，可在石墨烯表面形成大面积均匀高质量的栅介质层。该方法包括：使石墨烯的表面吸附亲水易挥发气体；将形成有石墨烯的衬底置于ALD反应腔中，通入水蒸气，以使吸附在石墨烯表面的亲水易挥发气体吸附所述水蒸气；将ALD反应腔的温度升到预定温度，通入栅介质源气体，使所述水蒸汽和栅介质源气体发生反应，生成栅介质层的一个单层，并使所述亲水易挥发气体挥发；重复在所述ALD反应腔中通入水蒸气以及栅介质源气体，以形成所述栅介质层的其他单层，形成所述栅介质层。用于制备FET。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 表面 形成 介质 制备 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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